漏电流，听姓名就知道是个比较负能量的一个东西。在半导体范畴，二极管在反向截止的时分，并不是彻底抱负的截止。在接受反压的时分，会有些细小的电流从阴极漏到阳极。这个电流一般很小，并且反压越高，漏电流越大，温度越高，漏电流越大。大的漏电流会带来较大的损耗，特别在高压使用场合。
发生的原因：从半导体资料内部结构看，是外加反向电压在PN结势垒区所发生的反向电场E大于势垒区分散电荷构成的电场E。，导致了经过PN结的反向漏电电流。势垒区的薄厚，以及所加反向电压的巨细一起决议了漏电电流的巨细。
在激光器芯片中，激光器也是二极管的一种，对其两头施加正向偏压时，电子从N流向有源区，可是也有一部分电子会有满足的能量从有源区溢出并流向P区，这些流到P的电流，就叫漏电流。漏电流可分为两个部分，一部分如上说的，另一部分是具有满足的热能然后超越电位势垒。另一部分是因为P能内部自身有少数电子浸透或漂移到P触摸区域，构成漏电流。漏电流对发光没有奉献，只会使得器材内部量子功率削减。一起对温度非常灵敏，漏电流会跟着温度上升敏捷添加。
相同关于短波长激光器比长波长的激光器更简单漏电。例如短波长的磷化铝镓铟。
如上图，波长690nm的磷化铝镓铟芯片导电带能隙差400meV，可是波长650nm的磷化铝镓铟相差只要320meV，电子更简单溢出。削减短波长磷化铝镓铟漏电的几个办法：1）进步P包覆层的掺杂浓度。添加导电能隙差值，添加电子跳过电位的难度。2）添加量子阱的个数，使得可包容载子变多而削减电流溢出；跟着量子阱的添加，必需要注入更多的电流发生laser，因此临界电流也会添加。
