加工、照明监控等领域存在广泛的应用。随着下游应用领域的不断拓展，半导体激光器也将面对慢慢的升高的要求。那么，在半导体激光器的研发生产的全部过程中，哪些技术最为关键呢？
高功率半导体激光器的发展与其外延与芯片结构的研究设计紧密相关。结构设计是高功率半导体激光器器件的基础。半导体激光器的三个基本原理性问题是：电注入和限制、电光转换、光限制和输出，分别对应电注入设计、量子阱设计、波导结构的光场设计。半导体激光器的结构研究改进就是从这三个方面做一直在优化，发展了非对称宽波导结构，优化了量子阱、量子线、量子点以及光子晶体结构，促进了激光器技术水平的不断的提高，使得激光器的输出功率、电光转换效率慢慢的升高，光束质量慢慢的变好，可靠性越来越高。
半导体激光器外延材料生长技术是半导体激光器研制的核心。高质量的外延材料生长工艺，极低的表面缺陷密度和体内缺陷密度是实现高峰值功率输出的前提和保证。另外杂质在半导体材料中也起着重要的作用，可以说，没有精确的半导体外延掺杂工艺，就没有高性能的量子阱激光器。主要是通过对掺杂曲线的优化，减少光场与重掺杂区域的重叠，由此减少自由载流子吸收损耗，提高器件的转换效率。
大功率半导体激光器的应用通常要求激光器输出功率很高且有较好的可靠性。而制约半导体激光器输出功率的主要瓶颈就是高功率密度下腔面退化导致的光学灾变损伤(COMD)。 在半导体激光器的腔面区域，由于解理、氧化等原因存在大量的缺陷，这些缺陷成为光吸收中心和非辐射复合中心。光吸收产生的热量使腔面温度上升，温度上升造成带隙减小，因而在腔面区域与激光器内部区域之间形成了一个电势梯度，引导载流子向腔面区域注入，更重要的是带隙减小后带间光吸收增强，两者都会使腔面区域的载流子浓度升高，增强非辐射复合，使腔面温度进一步升高。 另一方面，大功率半导体激光器较大的电流注入也增强了腔面非辐射复合。正是光吸收、非辐射复合、温度上升和带隙减小的正反馈过程使腔面的温度快速升高，最终腔面烧毁，即发生COMD。 腔面问题的根源是腔面缺陷的存在，包括腔面的污染、氧化、材料缺陷等，这些腔面缺陷首先影响COMD的一致性，其次会导致器件的退化，影响长期稳定性。通常能通过各种腔面钝化和镀膜技术，减少或者消除腔面的缺陷和氧化，降低腔面的光吸收，提高腔面的COMD值，以此来实现高峰值功率输出。
激光芯片的冷却和封装是制造大功率半导体激光器的重要环节，而激光器光束整形和激光集成技术是获得千瓦、万瓦级激光的主要途径。由于大功率半导体激光器的输出功率高、发光面积小，其工作时产生的热量密度很高，这对封装结构和工艺提出了更加高的要求。高功率半导体激光器封装关键技术探讨研究，就是从热、封装材料、应力方面着手，解决热管理和热应力的封装设计，实现直接半导体激光器向高功率、高亮度、高可靠性发展的技术突破。 由于半导体激光器具有制造简单、易量产、成本低、波长覆盖范围广、体积小、寿命长、能耗低、电光转换效率高等优点，在CD激光唱片机、光纤通信、光存储器、激光打印机等获得广泛应用，逐渐覆盖了各个光电子学领域的实用市场。 随着半导体激光器输出功率慢慢地提高及输出特性不断改善，其在工业加工领域也逐步开始发挥作用。除了直接参与工业加工外，半导体激光器更多应用于光纤激光器和固体激光器的泵浦源，与工业激光市场一起发展，并随着光纤激光器的爆发而迎来新的增长点。
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